半導体製造におけるリソグラフィ工程でのろ過

デバイスの高集積化を実現

リソグラフィ工程は、半導体製造における重要な主導技術です。

業界の継続的な成長は、まさにリソグラフィの解像度の改善によるものです。今日製造される半導体チップの複雑化により、多層回路を実現するために多くのリソグラフィ工程が必要となっています。
主要な業界の動向として、リソグラフィプロセスの各局面での汚染管理が中心課題となっています。技術傾向としては、DUVレジストの適用、上層と下層の反射防止膜の採用、レジストの薄膜化、液浸リソグラフィの導入などがあります。

各工程では、ウェハ表面へのパーティクル汚染、マイクロバブルによる欠陥、および金属汚染の可能性を考慮しなければなりません。微小パーティクルの除去は、半導体回路の欠陥を防止するために必須です。気泡の除去、およびマイクロバブル発生の防止は、塗布欠陥を削減し、歩留りを増加させるために重要です。

塗布工程における金属汚染を防止するために適切な部材を選択することは、レジスト塗布プロセスの最適化に欠かせません。

 

半導体向け概要
半導体-用途
半導体 – 化学薬品
半導体 - CMP
半導体-ガスのろ過・精製
Semiconductor - Lithography
半導体-超純水
半導体-環境とリサイクル
半導体製造用リソグラフィのろ過用途別カタログFind a Pall Representative for Answers to Ordering Questions

レジスト製造工程におけるフィルター、およびポイントオブユース (POU) のディスペンス時にフィルターを使用することにより、半導体製造工程でのウェハ表面へのパーティクル汚染を防止できます。

5つの半導体製造団体が主催する委員会による国際半導体技術ロードマップでは、先端半導体デバイスにおいて20nmの粒子の除去が重要であると報告しています。22nm以下のテクノロジーノードでは、歩留り低下につながるパーティクル除去を確実に行うための高機能なろ過が提供されています。

ウェハー表面へのリソグラフィ用薬液供給方法は、精密なディスペンスシステムによります。ポイントオブユースフィルターは、このディスペンスシステムにおいて不可欠であり、ウェハー表面の欠陥低減のためには慎重にフィルターを選択する必要があります。パーティクルやゲルの除去に加え、マイクロバブルの発生防止、使用する化学薬品の削減、薬液との適合性は、ポイントオブユース (POU) フィルターを選択する上で重要なことです。

最新の多様なリソグラフィ用薬液に対応できる膜材質が数種類あります。
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