半導体製造-ガス精製用途別カタログ

題名 対象のサブプロセス プロセス改善 採用上の利点 取り扱い製品
用途
ポール最先端精製器-設置方向の影響なし  N/A 
  • 垂直方向、水平方向にかかわらず、同等の不純物除去性能
  • ガス配管の汚染物質の削減
  • 低圧力損失
  • 短い反応時間 
  • お客様のトータルコストの低減
  • 精製コストの削減
     
ドライ・エッチプロセス・アプリケーションノート (PDF) 
  • ウェット・エッチプロセス
  • 反応性イオンエッチング (RIE)
  • 異方性エッチング
  • 磁気強化反応性イオンエッチャー (MERIE)
  • 電子サイクロトロン共鳴 (ECR)
  • スパッタリング
  • 高純度ケミカルエッチング
  • イオン強化エネルギー駆動エッチング
  • イオン強化阻害エッチング 
  • ドライエッチ・プロセスバリエーションの制御の強化
  • エッチ速度の高速化
  • スパッタリングおよびプラズマ誘起表面損傷の抑制
  • 製造歩留まり率の向上
  • 装置稼働時間の増加
  • お客様のトータルコストの低減 
原子層堆積 (ALD) プロセス向けのポイントオブユース (POU) ガス精製 (PDF)
  • 薄膜デポ
  • 等方性膜デポ
  • 物理的蒸着 (PVD)
  • 化学的蒸着 (CVD)
  • ALD反応器のガス汚染の防止 
  • 歩留まり率の向上
  • お客様のトータルコスト低減
     
プリエピタキシーデポのエッチング (PDF) 
  • 塩化水素 (HCI) 気相エッチング
  • シリコンウェハ・エッチング 
  • 水分を低レベルに抑え、ポリシリコン成長および供給システムの腐食を促進する欠陥を防止
  • 表面水分の金属酸化物欠陥および電気回路のショートを除去
  • 室温運転により、外部からの加熱や冷却が不要 
  • 追加システム部品が必要なく、効率的な粒子除去
  • お客様のトータルコストの低減 
誘電プラズマエッチプロセスでの汚染を防止
  • 酸化物デポ
  • リソグラフィ
  • 異方性エッチプロセス
  • 多量の気体不純物を1ppb (10億分の1) 未満まで除去
  • プロセス均一性の向上
  • プロセス効率の向上 
半導体製造プロセスにおける酸素センサーを保護
  • 迅速加熱処理 (RTP)
  • 原子層堆積 (ALD)
  • エピタキシャル化学的蒸気 (Epi CVD)
  • 物理的蒸着 (PVD) 
  • 排気ラインに設置された酸素センサーへの付着物から保護
  • 校正間隔を大幅に延長
  • コストのかかる装置ダウンタイムを最小限に抑える
  • お客様のトータルコスト低減
シリコン・エピタキシャル・プロセスにおけるシランガス中からのシロキサン不純物の除去 (PDF) 
  • 迅速加熱処理 (RTP)
  • 原子層堆積 (ALD)
  • エピタキシャル化学的蒸着 (Epi CVD) 
  • 物理的蒸着 (PVD)
  • 酸素センサーへの付着物からの保護
  • 校正間隔の拡大
  • 酸素センサーを保護するための汚染粒子除去
  • センサーの有効期間の拡大
  • コストのかかる装置ダウンタイムを最小限に抑える
  • お客様のトータルコストの低減
誘電プラズマエッチプロセスにおける水分や金属カルボニルによる汚染を防止 
  • 酸化物デポ
  • リソグラフィ
  • 異方性エッチ
  • 水分および金属カルボニルの除去の強化
  • ウェハのニッケル汚染物の削減
  • お客様のトータルコストの低減 
技術論文
塩化水素ガス用の新しい精製剤を備えたガス精製器を評価するための分析手法 (PDF) 
  • エッチングおよびプロセスチャンバー洗浄のための半導体デバイス製造
  • エピタキシャル成長前のエッチング 
  • 塩化水素 (HCI) ガスからの水分の除去の強化 
N/A 
より良いICチップには純度の高いガスが必要 - 2004年11月 クリーンルーム (保護PDF) 
  • ガスのろ過・精製
  • プラズマエッチ
  • リソグラフィ
  • 粒子およびフィルターの汚染物質を除去 
  • 半導体製造の歩留まり率の向上 
N/A
マイクロエレクトロニクス製造プロセスで使用する多様なポイントオブユース (POU) 不活性ガス精製技術の総合的な性能試験および特性化 - 2004年7/8月 ガスとテクノロジー (PDF) 
  • プラズマエッチ
  • 化学的蒸着
  • スパッタ
  • 原子層堆積
  • エピキタシャル・プロセス
  • プロセスおよびデバイス歩留まり率、均一性、および予測可能性の向上
N/A 
次世代ガス精製による、シランプロセスガス中からのシロキサン不純物の除去 - 2000年7/8月 マイクロ (PDF)  N/A 
  • シロキサン不純物の削減
  • 高度なデバイスに必要とされるレベルまでの膜の欠陥の削減
     
  • プロセス装置のダウンタイムの削減 
注意深く部品を選択することによる、システム設置面積と運用コストの削減 (PDF) 
  • プラズマエッチング・プロセス 
  • 小さい設置面積
  • 流速の増加
  • 校正の削減
  • 耐用年数の長期化および交換の減少
  • 追加熱源が不要
  • 基盤に追加の空きスペース 
  • 設備コストおよび保守コストの削減
  • 稼働時間の増加
  • 高い生産性
  • エネルギー費用の削減
COガスのPOU精製による金属カルボニルおよび水分不純物の除去 - 2005年7月 半導体テクノロジー (保護PDF)
  • エッチプロセス 
  • 不純物の効率的な除去
  • デバイスの歩留まり率の向上
  • 予測可能なプロセス 
  • プロセスの歩留まり率の向上 
ろ過シリコンアプリケーションのシリコンゲルマニウム・エピタキシャル成長プロセスにおいてポイントオブユース水素精製を使用した場合の酸素不純物レベルのSIMS分析 (PDF)  N/A
  • 反応器で抑制不純物が増加
  • プロセスおよびデバイスの変動を抑制
  • 予測可能性の向上
  • 粒子除去 
 
  • プロセス収率の向上